zy1 ... zy200 (2 w) zy1 ... zy200 (2 w) silicon-power-zener diodes (non-planar technology) silizium-leistungs-zener-dioden (fl?chendiffundierte dioden) version 2011-10-17 dimensions - ma?e [mm] maximum power dissipation maximale verlustleistung 2 w nominal z-voltage nominale z-spannung 1...200 v plastic case C kunststoffgeh?use do-41 do-204al weight approx. C gewicht ca. 0.4 g marking: z plus zenervoltage stempelung: ?z plus zenerspannung plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pak standard lieferform gegurtet in ammo-pack standard zener voltage tolerance is graded to the international e 24 (~ 5%) standard. other voltage tolerances and higher zener voltages on request. die toleranz der zener-spannung ist in der standard-ausfhrung gestuft nach der internationalen reihe e 24 (~ 5%). andere toleranzen oder h?here arbeitsspannungen auf anfrage. maximum ratings and characteristics grenz- und kennwerte zy-series power dissipation verlustleistung t a = 50c p tot 2 w 1 ) non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms einmalige impuls-verlustleistung, t < 10 ms t a = 25c p zsm 60 w operating junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+150c -50...+175c thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 45 k/w 1 ) thermal resistance junction to terminal w?rme widerstand sperrschicht C anschluss r thl < 15 k/w zener voltages see table on next page C zener-spannungen siehe tabelle auf der n?chsten seite 2 3 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 tested with pulses C gemessen mit impulsen 3 the zy1 is a diode operated in forward mode. hence, the index of all parameters should be f instead of z. the cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole. die zy1 ist eine in durchlass betriebene si-diode. daher ist bei allen kenn- und grenzwerten der index f anstatt z zu setzen. die mit wei?em balken gekennzeichnete kathode ist mit dem minuspol zu verbinden. ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 t y p e ? 0.77 0.07 ? 2.6 -0.1 6 2 . 5 + 0 . 5 5 . 1 - 0 . 1 - 2 . 5
zy1 ... zy200 (2 w) maximum ratings and characteristics (t a = 25c unless otherwise specified) grenz- und kennwerte (t a = 25c wenn nicht anders spezifiziert) type typ zener voltage 2 ) zener-spannung 2 ) i z = i ztest test current me?strom dynamic resistance diff. widerstand i ztest / f = 1 khz temp. coeffic. of z-voltage der z-spannung reverse volt. sperrspanng. i r = 1 a z-current 1 ) z-strom 1 ) t a = 50c v zmin [v] v zmax [v] i ztest [ma] r zj [] vz [10 -4 /c] v r [v] i zmax [ma] zy1 3 ) 0.71 0.82 100 0.5 (<1) C26C16 C 1500 zy5.6 5.2 6.0 100 1 (<3) C3+5 > 0.5 / 3 a 333 zy6.2 5.8 6.6 100 1 (<2) C1+6 > 1.5 303 zy6.8 6.4 7.2 100 1 (<2) 0+7 > 2 278 zy7.5 7.0 7.9 100 1 (<2) 0+7 > 2 253 zy8.2 7.7 8.7 100 1 (<2) +3+8 > 3.5 230 zy9.1 8.5 9.6 50 2 (<4) +3+8 > 3.5 208 zy10 9.4 10.6 50 2 (<4) +5+9 > 5 189 ZY11 10.4 11.6 50 4 (<7) +5+10 > 5 172 zy12 11.4 12.7 50 4 (<7) +5+10 > 7 157 zy13 12.4 14.1 50 5 (<10) +5+10 > 7 142 zy15 13.8 15.6 50 5 (<10) +5+10 > 10 128 zy16 15.3 17.1 25 6 (<15) +6+11 > 10 117 zy18 16.8 19.1 25 6 (<15) +6+11 > 10 105 zy20 18.8 21.2 25 6 (<15) +6+11 > 10 94 zy22 20.8 23.3 25 6 (<15) +6+11 > 12 86 zy24 22.8 25.6 25 7 (<15) +6+11 > 12 78 zy27 25.1 28.9 25 7 (<15) +6+11 > 14 69 zy30 28 32 25 8 (<15) +6+11 > 14 63 zy33 31 35 25 8 (<15) +6+11 > 17 57 zy36 34 38 10 16 (<40) +6+11 > 17 53 zy39 37 41 10 20 (<40) +6+11 > 20 49 zy43 40 46 10 24 (<45) +7+12 > 20 43 zy47 44 50 10 24 (<45) +7+12 > 24 40 zy51 48 54 10 25 (<60) +7+12 > 24 37 zy56 52 60 10 25 (<60) +7+12 > 28 33 zy62 58 66 10 25 (<80) +8+13 > 28 30 zy68 64 72 10 25 (<80) +8+13 > 34 28 zy75 70 79 10 30 (<100) +8+13 > 34 25 zy82 77 88 10 30 (<100) +8+13 > 41 23 zy91 85 96 5 40 (<200) +9+13 > 41 21 zy100 94 106 5 60 (<200) +9+13 > 50 19 ZY110 104 116 5 80 (<250) +9+13 > 50 17 zy120 114 127 5 80 (<250) +9+13 > 60 16 zy130 124 141 5 90 (<300) +9+13 > 60 14 zy150 138 156 5 100 (<300) +9+13 > 75 13 zy160 153 171 5 110 (<350) +9+13 > 75 12 zy180 168 191 5 120 (<350) +9+13 > 90 10 zy200 188 212 5 150 (<350) +9+13 > 90 9 1 notes see previous page C fu?noten siehe vorhergehende seite 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag
zy1 ... zy200 (2 w) ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 3 120 100 80 60 40 20 0 [%] p tot power dissipation versus ambient temperature ) verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 125c j 30a-(1a-1.1v) [pf] [v] c j v z t = 25c f = 1.0 mhz j v = 0v r v = 4v r v = 20v r v = 40v r junction capacitance vs. zener voltage (typical) sperrschichtkapazit?t in abh. v.d. zenerspg. (typ.) typ. thermal resistance vs lead length typ. therm. widerst. in abh. der anschlussl?nge 50 50 40 30 20 10 0 r thl [k/w] [mm] l 12 8 4 0 l 0 2 3 4 5 6 7 8 10 [v] v z [ma] 50 150 0 100 i z typical breakdown characteristic typische abbruchspannung C tested with pulses C gemessen mit impulsen 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 i zt i zmax 1 t = 25c j i = 5 ma z 10 18 24 30 36 43 51 62 56 68 75 82 91 100 t = 25c j i zt i zmax typical breakdown characteristic typische abbruchspannung C tested with pulses C gemessen mit impulsen
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